市科技局举办2025年第四期科技大讲堂

9月24日，市科技局举办2025年第四期科技大讲堂，邀请安徽格恩半导体有限公司副总经理张江勇博士作《第三代半导体GaN技术创新与应用前景》报告，市科技局全体党员、干部职工参加活动。

张江勇博士凭借深厚的专业素养和前瞻的行业视野，围绕第三代半导体核心材料—氮化镓（GaN）展开深度分享。报告中，不仅讲授了半导体材料的发展历程、还针对氮化镓衬底以及氮化镓材料的关键应用方向，即射频、电子电力及光电子，做了详细的介绍；清晰明了地阐述了以氮化镓为代表的第三代半导体具备的高禁带宽度、高击穿电场、高电子饱和漂移速度，以及其优异的耐高温和抗辐射等核心性能优势。最后，通过梳理氮化镓在通信传感、激光显示、激光加工、激光医疗等众多领域的广泛应用，全面展现了氮化镓半导体的未来发展潜力与产业价值。

互动环节，参会者与张江勇博士展开深度交流探讨，现场踊跃提问，学习气氛浓厚。会后大家反馈，本次讲座不仅拓宽了科技视野，了解并把握氮化镓技术的最新进展、当前创新瓶颈及未来突破方向，进一步激发了大家助力服务科技前沿技术的责任感和使命感。